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中國取得EUV技術(shù)重要突破,阿斯麥CEO還在“嘴硬”?
最后更新: 2025-04-29 13:54:45【文/觀察者網(wǎng) 熊超然】美西方越是打壓封鎖,越會倒逼中國加快自主創(chuàng)新步伐。這一點,早已一次又一次應(yīng)驗,如今也有望出現(xiàn)在半導(dǎo)體的極紫外光刻機(EUV)領(lǐng)域。
據(jù)《中國激光》雜志今年第6期(2025年3月下)所刊登的一篇研究論文稱,中國研究人員已經(jīng)建立了一個運行參數(shù)具有國際競爭力的EUV光源實驗平臺,這對于我國自主開展EUV光刻及其關(guān)鍵器件與技術(shù)的研發(fā)工作具有重要意義。香港《南華早報》4月29日對此報道時則認為,中方這一研究成果“突破了自主生產(chǎn)先進芯片的障礙”。
報道稱,該研究團隊來自中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所,由該研究所研究員林楠領(lǐng)導(dǎo),他曾是荷蘭光刻機巨頭阿斯麥公司(ASML)在光源技術(shù)方面的負責(zé)人。
論文指出,雖然阿斯麥采用的二氧化碳激光驅(qū)動技術(shù)優(yōu)點顯著,但林楠團隊近期研究發(fā)現(xiàn),固體激光驅(qū)動技術(shù)歷經(jīng)近十年發(fā)展也有許多優(yōu)勢提升,并可能對我國自主開展EUV光刻及其關(guān)鍵器件與技術(shù)的研發(fā)具有重要意義。
在所建立的激光驅(qū)動等離子體極紫外(LPP-EUV)光源實驗平臺上,中方團隊破局高轉(zhuǎn)換效率,所得結(jié)果處于國際靠前、國內(nèi)領(lǐng)先水平??蒲腥藛T還估計,該光源實驗平臺的理論最大轉(zhuǎn)換效率可能接近6%,他們正計劃增加進一步的研究,以優(yōu)化理論和實驗結(jié)果。
《南華早報》特別提到,這一研究成果公開后不久,就在本月早些時候的一次發(fā)言中,阿斯麥CEO克里斯托夫·富凱(Christophe Fouquet)仍然還這樣聲稱:“(中國)總有可能制造出一些EUV光源,但中國要制造出一臺EUV光刻機,還需要很多很多年的時間(take many,many years)?!?
該成果以“1 μm激光激發(fā)固體Sn靶等離子體EUV輻射特性實驗研究”為題發(fā)表在《中國激光》第6期,被選為封面文章。 《中國激光》
據(jù)介紹,林楠曾任荷蘭阿斯麥公司研發(fā)科學(xué)家、研發(fā)部光源技術(shù)負責(zé)人,在加入阿斯麥之前,他師從2023年諾貝爾物理學(xué)獎得主、瑞典皇家科學(xué)院院士安妮·呂利耶(Anne L’Huillier),并獲得了“歐盟瑪麗·居里學(xué)者計劃”的資金資助。
2021年,林楠作為國家海外高層次人才回國,現(xiàn)任中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所研究員、博導(dǎo),超強激光科學(xué)與技術(shù)全國重點實驗室副主任等職,并創(chuàng)立了一個先進光刻技術(shù)研究小組,該小組負責(zé)這篇論文中的研究工作。
今年3月,在觀察者網(wǎng)評選的29位2024年度科創(chuàng)人物中,林楠也榜上有名。觀察者網(wǎng)《好評》欄目這樣介紹獲評“年度求索者”的林楠:
掌握新型極紫外光源技術(shù),是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界根本性破解“卡脖子”難題的必由之路,以林楠為代表的中國科研工作者,在該領(lǐng)域正不斷積累突破勢能。
林楠長期從事集成電路制造光刻光源以及芯片量檢測光源研發(fā)與工程應(yīng)用研究,擁有十余年大規(guī)模集成電路制造與測量設(shè)備科研、工程項目研發(fā)和管理經(jīng)驗,截止目前申請/授權(quán)美、日、韓等國國際專利110余項。2021年,林楠全職回國進入中國科學(xué)院,瞄準(zhǔn)國家需求,迅速建成極紫外光源研發(fā)平臺。
中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所研究員林楠 《中國激光》
林楠團隊的這篇論文稱,他們成功開發(fā)出LPP-EUV光源,這是光刻機的核心部件,可能將成為中國半導(dǎo)體行業(yè)的一個重大突破。
“(林楠團隊)所建立的LPP-EUV光源實驗平臺和借助此平臺開展的激光等離子體產(chǎn)生極紫外新機制研究結(jié)果為固體激光驅(qū)動LPP-EUV光刻光源的國產(chǎn)化研發(fā)提供了技術(shù)支撐,對于我國自主開展EUV光刻及其關(guān)鍵器件與技術(shù)的研發(fā)工作具有重要意義?!闭撐膶懙馈?
論文指出,林楠團隊建立的實驗平臺基于固體激光器技術(shù),這與阿斯麥工業(yè)光刻設(shè)備采用的二氧化碳激光驅(qū)動技術(shù)不同,后者通過該技術(shù)產(chǎn)生的光源將電路圖案轉(zhuǎn)移到硅片等基材上。
固體激光驅(qū)動等離子體極紫外光源實驗平臺 《中國激光》
EUV光刻機中最核心的分系統(tǒng)是激光等離子體(LPP)EUV光源,其研發(fā)的主要挑戰(zhàn)之一是提高能量轉(zhuǎn)換效率(CE)。二氧化碳激光器由于可同時實現(xiàn)高功率、高重頻和窄脈寬激光輸出,且其激發(fā)的Sn等離子體具有較高CE(>5%),被選定為商業(yè)LPP-EUV光刻光源的驅(qū)動光源。
但林楠團隊指出,近期研究表明,1 μm固體激光激發(fā)Sn等離子體的CE有可能滿足EUV光刻光源的工程化指標(biāo)。此外,固體脈沖激光器經(jīng)過近十年的快速發(fā)展已實現(xiàn)千瓦級功率輸出,并在未來有望達到萬瓦級,又由于其體積緊湊、電光轉(zhuǎn)換效率高(~20%),有望替代二氧化碳激光成為新一代LPP-EUV光刻光源的驅(qū)動光源?;诖耍l(fā)展固體激光驅(qū)動的LPP-EUV光源對我國自主開展EUV光刻及其關(guān)鍵器件與技術(shù)的研發(fā)具有重要意義。
- 責(zé)任編輯: 冉召月 
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