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SK海力士搞定1Z納米16Gb DDR4內(nèi)存，年內(nèi)量產(chǎn)

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2019-10-21 16:03:47 字號：A- A A+ 來源：觀察者網(wǎng)

最后更新: 2019-10-21 16:03:48

（觀察者網(wǎng)訊）10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米DDR4動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）。SK海力士稱，這款芯片實(shí)現(xiàn)了單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。

此外，與上一代1Y納米產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。

新款1Z納米DRAM支持高達(dá)3200 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，據(jù)稱是DDR4規(guī)格內(nèi)最高速度。在功耗方面，與基于第二代8Gb產(chǎn)品的相同容量模組相比，功耗降低約40%。

第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關(guān)鍵要素靜電容量最大化。此外，還引進(jìn)了新的設(shè)計技術(shù)，提高了動作穩(wěn)定性。

接下來，SK海力士計劃將第三代10納米級微細(xì)工程技術(shù)擴(kuò)展到多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括下一代移動DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

DRAM 1Z開發(fā)事業(yè)TF長李廷燻表示，該芯片計劃年內(nèi)完成批量生產(chǎn)，從明年開始正式供應(yīng)。

科普：什么是1Xnm，1Ynm和1Znm

在內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm之后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存芯片公司對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是希望通過兩代或三代1Xnm節(jié)點(diǎn)去升級DRAM，由此稱為1Xnm、1Ynm、1Znm。大體上1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm，1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級別。
本文系觀察者網(wǎng)獨(dú)家稿件，未經(jīng)授權(quán)，不得轉(zhuǎn)載。
標(biāo)簽 SK海力士 1Z納米 DRAM
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