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三代10nm制程:美光開始量產(chǎn)16Gb DDR4與LPDDR4X內(nèi)存顆粒
關(guān)鍵字:美光周四宣布,該公司一開始量產(chǎn)基于第三代 10nm 制程(又稱 1z nm)制程的存儲芯片,首批到來的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件。隨著時間的推移,該公司還將進一步擴大其產(chǎn)品組合。與第二代 10nm 工藝相比, 新工藝使得美光能夠提升 DRAM 芯片密度,在增強性能的同時、降低產(chǎn)品的功耗。
值得一提的是,第三代 10 nm 制程的 16Gb DDR4 器件功耗,較同頻的兩個 8Gb DDR4 DRAM 還要低 40% 。
至于 16 Gb LPDDR4X IC,美光稱其更是提升了 10% 的能效。由于第三代 1Z nm 工藝較第二代 1Y nm 的比特密度更高,該公司可產(chǎn)出性價比更高的存儲芯片。
鑒于美光未透露 16 Gb DDR4 DRAM 的速度分檔,我們只能預計其符合 JEDEC 的官方指定范圍內(nèi)。
預計首批 16 Gb DDR4 DRAM 產(chǎn)品將用于臺式機、筆記本、工作站上的高容量(32GB 或更高)內(nèi)存模組。
移動存儲器方面,美光 16 Gb LPDDR4X 芯片的傳輸速率可達 4266 MT/s 。
除了為高端智能機提供高達 16 GB(8x16Gb)的 LPDDR4X DRAM 封裝,美光還將提供基于 UFS 的多芯片封裝(uMCP4),將 NAND 用于存儲和 DRAM 。
該公司針對主流手機的 uMCP4 系列產(chǎn)品,將包括 3GB RAM + 64GB ROM 至 8GB RAM + 256GB ROM 等產(chǎn)品。
最后,美光沒有透露其生產(chǎn) 1Z nm 制程 16 Gb DDR4 / LPDDR4X 芯片的工廠。不出意外的話,應(yīng)該會在日本廣島工廠內(nèi)生產(chǎn)。
與此同時,分析師猜測該公司會在臺中附近的 Micron Memory Taiwan(前 Rexchip Semiconductor)晶圓廠啟用 1Z nm 制程生產(chǎn)線。
- 原標題:三代10nm制程:美光開始量產(chǎn)16Gb DDR4與LPDDR4X內(nèi)存顆粒
- 責任編輯:劉響
- 最后更新: 2019-08-17 16:54:18
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