（觀察者網(wǎng)訊 文/呂棟 編輯/尹哲）

11月12日晚，半導(dǎo)體制造大廠中芯國(guó)際公布2019年第三季度財(cái)報(bào)。

財(cái)報(bào)顯示，當(dāng)季，中芯國(guó)際總營(yíng)收8.165億美元，環(huán)比增長(zhǎng)3.2%，而上年同期為8.507億美元。此外，該公司實(shí)現(xiàn)毛利1.698億美元，環(huán)比增長(zhǎng)12.3%；當(dāng)期毛利率為20.8%，環(huán)比提升1.7個(gè)百分點(diǎn)。

值得注意的是，三季度，中芯國(guó)際凈利潤(rùn)為8462.6萬(wàn)美元，同比增幅達(dá)1014.8%。該公司在財(cái)報(bào)中指出，客戶庫(kù)存消化，產(chǎn)能利用率提高，先進(jìn)光罩銷售增加，其三季度經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)優(yōu)于預(yù)期。

不僅如此，中芯國(guó)際首次透露，第一代14nm FinFET已成功量產(chǎn)，四季度將貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收。另外，該芯片公司中國(guó)區(qū)營(yíng)收占比達(dá)60.5%，當(dāng)期整體產(chǎn)能利用率高達(dá)97%，接近滿載。不過(guò)，財(cái)報(bào)中并沒(méi)有提到7nm工藝等相關(guān)內(nèi)容。

財(cái)報(bào)發(fā)布后，中芯國(guó)際13日跳空高開(kāi)，盤中一度漲逾8%，市值重新站上500億港元。

產(chǎn)能接近滿載，28nm營(yíng)收占比提升

根據(jù)財(cái)報(bào)，中芯國(guó)際第三季度按應(yīng)用劃分的收入占比為電腦5.6%、通訊46.1%、消費(fèi)電子34.9%、汽車/工業(yè)4.8%，其他類的占比為8.6%。其中，消費(fèi)電子占比相較上一季度增長(zhǎng)了3.8個(gè)百分點(diǎn)。

若以服務(wù)分類，晶圓代工在中芯國(guó)際的營(yíng)收中還是占大頭。

財(cái)報(bào)顯示，三季度晶圓代工在中芯國(guó)際營(yíng)收占比為92.5%，不過(guò)環(huán)比同比都呈現(xiàn)下降趨勢(shì)。光罩制造，晶圓測(cè)試及其它在營(yíng)收中的占比在逐步提升，三季度占比為7.5%，同比增長(zhǎng)1.9個(gè)百分點(diǎn)。

關(guān)于晶圓代工，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍今年9月表示，做晶圓代工廠第一名是賺錢的，第二名基本不賺錢，第三名是虧錢的，所以一定要爭(zhēng)做前二名。

值得一提的是，第三季度中芯國(guó)際整體產(chǎn)能利用率高達(dá)97%，相比第二季度增長(zhǎng)了近6個(gè)百分點(diǎn)。

在中芯國(guó)際各大晶圓廠中，上海200mm（8英寸）晶圓廠產(chǎn)能略有下降，但北京300mm（12英寸）晶圓廠和天津深圳的200mm晶圓廠產(chǎn)能都出現(xiàn)一定的上升。

不過(guò)，由于在第三季度出售了具有多數(shù)權(quán)益的LFoundry晶圓廠，中芯國(guó)際月代工總產(chǎn)能還是出現(xiàn)了近4萬(wàn)片的下降。

資料顯示，LFoundry是一家專業(yè)晶圓代工廠，總部位于意大利阿韋扎諾，主要提供最先進(jìn)的模擬制造服務(wù)，晶圓月產(chǎn)量超過(guò)4萬(wàn)片。

而在以地區(qū)分類的營(yíng)收占比中，中國(guó)內(nèi)地及香港占比超過(guò)六成，達(dá)到60.5%；歐亞地區(qū)占比為14.8%，美國(guó)的占比從二季度的27.5%繼續(xù)下滑到了24.7%。

觀察者網(wǎng)注意到，在晶圓銷售額占比統(tǒng)計(jì)中，0.15/0.18微米和55/65納米仍然占據(jù)中芯國(guó)際晶圓銷售額的大頭，二者合計(jì)占比超過(guò)60%。

值得一提的是，中芯國(guó)際28nm工藝的營(yíng)收占比增長(zhǎng)至4.3%，上季度僅3.8%。

相比而言，臺(tái)積電2019年第二季度7nm工藝已占營(yíng)收的21%，16nm為23%，28nm為18%。

有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，在2019年上半年，整個(gè)半導(dǎo)體銷售市場(chǎng)約為2000億美元，其中65%的芯片是采用14nm及以下的工藝生產(chǎn)的，10%左右的芯片是采用7nm的工藝生產(chǎn)的，還有25%的芯片是采用的10nm、8nm、12nm的工藝生產(chǎn)的。

14nm成功量產(chǎn)

中芯國(guó)際在財(cái)報(bào)中透露，F(xiàn)inFET技術(shù)研發(fā)不斷向前推進(jìn)：第一代FinFET已成功量產(chǎn)，四季度將貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收；第二代FinFET研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，客戶導(dǎo)入進(jìn)展順利，未來(lái)該工藝將應(yīng)用于處理器、車用電子和人工智能領(lǐng)域。

中芯二季報(bào)曾透露，F(xiàn)inFET工藝研發(fā)正持續(xù)加速，14nm已經(jīng)進(jìn)入客戶風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)階段。首批14nm客戶包括汽車電子等領(lǐng)域，年底將有小批量出貨，屆時(shí)將會(huì)貢獻(xiàn)一定比例營(yíng)收，而大規(guī)模出貨預(yù)計(jì)會(huì)在2021年。

今年9月，在2019中芯國(guó)際技術(shù)研討會(huì)上，中芯國(guó)際市場(chǎng)及海外銷售副總裁Kelvin Low稱，中芯國(guó)際的14nm FinFET工藝良率正不斷爬坡，產(chǎn)能也正成指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。

當(dāng)時(shí)，他提到，目前有客戶在考慮采用FinFET技術(shù)，所以未來(lái)FinFET技術(shù)擁將有很大的市場(chǎng)。

另?yè)?jù)快科技報(bào)道，14/12nm工藝是中芯國(guó)際第一代FinFET工藝，N+1 FinFET節(jié)點(diǎn)會(huì)是中芯國(guó)際的第二階段，預(yù)計(jì)2020年底會(huì)有試驗(yàn)產(chǎn)能，不僅有N+1，還會(huì)有更先進(jìn)一代的N+2節(jié)點(diǎn)。

該報(bào)道稱，雖然中芯國(guó)際一直沒(méi)有確認(rèn)第二代FinFET工藝會(huì)是10nm還是直接進(jìn)入7nm，但從之前訂購(gòu)ASML的EUV光刻機(jī)來(lái)看，中芯國(guó)際應(yīng)該會(huì)跳過(guò)10nm節(jié)點(diǎn)。

據(jù)中芯國(guó)際之前介紹，14nm之后是改進(jìn)型的12nm FinFET工藝，該工藝相比14nm晶體管尺寸進(jìn)一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯(cuò)誤率降低20%。

該公司一季報(bào)中透露，12nm工藝已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)年底會(huì)有多個(gè)芯片流片驗(yàn)證。

在9月的中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)上，趙海軍曾表示，先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)將會(huì)驅(qū)動(dòng)代工業(yè)未來(lái)的未來(lái)增長(zhǎng)，14nm以下先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)將為純晶圓代工制造企業(yè)創(chuàng)造30%以上營(yíng)收貢獻(xiàn)，成為主動(dòng)驅(qū)動(dòng)力。

在工藝上不斷取得進(jìn)展也讓中芯國(guó)際在財(cái)報(bào)中對(duì)未來(lái)表示樂(lè)觀，“我們相信，中芯國(guó)際將全面受惠于市場(chǎng)向5G標(biāo)準(zhǔn)遷移帶來(lái)的廣泛商機(jī)，走出調(diào)整，重啟成長(zhǎng)。”

中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官，趙海軍博士和梁孟松博士在財(cái)報(bào)中評(píng)論說(shuō)：“經(jīng)過(guò)兩年的積累，我們不僅進(jìn)一步縮短先進(jìn)技術(shù)的差距，也同時(shí)全面拓展新的成熟工藝技術(shù)平臺(tái)，有信心隨著5G終端應(yīng)用發(fā)展的浪潮步入新的發(fā)展階段。”

關(guān)于第四季度業(yè)績(jī)展望，中芯國(guó)際在財(cái)報(bào)中預(yù)計(jì)，毛利率將進(jìn)一步提升，將增至23-25%左右，“物聯(lián)網(wǎng)、智能家居帶動(dòng)需求，消費(fèi)電子領(lǐng)域營(yíng)收三季度環(huán)比增長(zhǎng)16%。我們預(yù)計(jì)四季度公司營(yíng)收將保持成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)”。

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