（觀察者網(wǎng)訊 文/呂棟）

10月21日，據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電內(nèi)部消息稱，臺(tái)積電5納米制程試產(chǎn)結(jié)果顯示，晶體管數(shù)是7納米的1.8倍，而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星卻僅增加二成，且臺(tái)積電功耗等芯片效能都超過(guò)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，制程工藝領(lǐng)先。

據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電不愿透露有多少客戶采用5納米制程，但臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，這項(xiàng)全數(shù)采用極紫外光（EUV）微影設(shè)備的制程，已兼具效能和成本等因素，客戶也預(yù)期將會(huì)有很好的銷售表現(xiàn)，才會(huì)要求為其準(zhǔn)備產(chǎn)能。

臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電5納米已吸引包括蘋果、超威、海思、高通、比特大陸等一線大廠，量產(chǎn)時(shí)間或?qū)⑻崆爸撩髂?月。

此外，5納米月產(chǎn)能已由原定的4.7萬(wàn)片增至5.1萬(wàn)片，P3廠決定加快建廠行程，并導(dǎo)入5納米強(qiáng)化版，月產(chǎn)能規(guī)劃近3萬(wàn)片，使5納米月產(chǎn)能增至8萬(wàn)片以上。

圖自臺(tái)媒

臺(tái)積電總裁魏哲家日前表示，臺(tái)積電7納米和5納米將會(huì)是明年?duì)I收增長(zhǎng)主力，7納米營(yíng)收占比第3季已達(dá)27%，本季將超越三成，全年占比25%，明年還會(huì)高于今年。至于5納米明年?duì)I收占比，暫不對(duì)外公布。

島內(nèi)業(yè)界解讀稱，臺(tái)積電押寶5納米，是希望借5納米完封三星。

臺(tái)積電日前發(fā)布會(huì)宣布，上調(diào)今年資本支出，由原訂上限110億美元，上調(diào)為140億至150億美元，為歷年來(lái)最大手筆，上修幅度達(dá)27.27%到40%，高于外資法人預(yù)期。

臺(tái)積電表示，這次大幅上調(diào)資本支出，主因是客戶需求超出原先預(yù)期，而且增加的40億美元資本支出，有25億美元用5納米，另外15億美元用于增加7納米產(chǎn)能。

面對(duì)臺(tái)積電來(lái)勢(shì)洶洶，韓國(guó)大廠三星也不甘于落后。

據(jù)韓媒報(bào)道，為達(dá)成2030年成為全球第一半導(dǎo)體大廠的目標(biāo)，并超越臺(tái)積電，搶占未來(lái)2到3年的5G商用化所帶來(lái)的半導(dǎo)體市場(chǎng)需求，三星已向全球微影曝光設(shè)備大廠ASML訂購(gòu)15臺(tái)先進(jìn)EUV設(shè)備，價(jià)值3萬(wàn)億韓元，約合181億人民幣，交付分三年進(jìn)行。

三星電子自2005年進(jìn)入晶圓代工領(lǐng)域，目前已經(jīng)7nm EUV技術(shù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星計(jì)劃，6nm制程在2019年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，5nm制程在2020年上半年量產(chǎn)，3nm制程預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入量產(chǎn)。

數(shù)據(jù)顯示，2019年Q3全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)臺(tái)積電以50.5%穩(wěn)坐第一，而近年努力發(fā)展先進(jìn)制程的三星電子以18.5%的市占率位居第二，但三星很顯然不愿一直位居次席，一直在擴(kuò)大半導(dǎo)體投資。

三星今年4月發(fā)布一項(xiàng)高達(dá)133萬(wàn)億韓元的系統(tǒng)IC投資，其中60萬(wàn)億韓元將用于晶圓代工設(shè)備投資。去年8月，三星曾發(fā)表3年180萬(wàn)億韓元投資，其中90萬(wàn)億到100萬(wàn)億韓元將用于半導(dǎo)體設(shè)備。

業(yè)內(nèi)人士透露，為了超越臺(tái)積電，三星不僅會(huì)增加設(shè)備投資，還會(huì)通過(guò)提供技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力來(lái)吸引客戶。

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