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三星掀半導(dǎo)體軍備競賽:斥巨資向ASML訂購15臺EUV設(shè)備
(觀察者網(wǎng)訊)
在臺積電宣布7納米強效版及5納米導(dǎo)入EUV(極紫外光)微影技術(shù)且量產(chǎn)后,近日三星決定向荷蘭ASML訂購15臺EUV設(shè)備,此外英特爾、美光、海力士也規(guī)劃采用EUV技術(shù),導(dǎo)致僧多粥少,全球半導(dǎo)體行業(yè)掀起爭搶EUV設(shè)備大戰(zhàn)。
據(jù)《韓國先驅(qū)報》15日報道,為達成2030年成為全球第一半導(dǎo)體大廠的目標,并超越晶圓代工廠商臺積電,搶占未來2到3年的5G商用化所帶來的半導(dǎo)體市場需求,三星已向全球微影曝光設(shè)備大廠ASML訂購15臺先進EUV設(shè)備,價值3萬億韓元,約合181億人民幣,交付分三年進行。
報道截圖
三星電子自2005年進入晶圓代工領(lǐng)域,目前已經(jīng)7nm EUV技術(shù)已實現(xiàn)量產(chǎn)。三星計劃,6nm制程在2019年下半年開始量產(chǎn),5nm制程在2020年上半年量產(chǎn),3nm制程預(yù)計在2021年進入量產(chǎn)。
而三星和臺積電在先進制程的角逐一直進行,臺積電日前已宣布,7納米強效版制程領(lǐng)先業(yè)界導(dǎo)入EUV微影技術(shù),并已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進入市場,且2020年上半年量產(chǎn)的5納米也將導(dǎo)入EUV制程。
另外,英特爾EUV計劃的負責(zé)人Britt Turkot年中表示,EUV技術(shù)已經(jīng)準備好,并且投入大量的技術(shù)開發(fā)。內(nèi)存大廠美光、海力士也計劃導(dǎo)入EUV技術(shù)。
尷尬的是,目前全球提供EUV設(shè)備的企業(yè)僅ASML一家,業(yè)界預(yù)估ASML一年僅能生產(chǎn)約30臺EUV設(shè)備,在各大廠相繼投入之下,形成設(shè)備機臺一機難求,排隊等設(shè)備現(xiàn)象。
ASML最新發(fā)布的第三季度財報中顯示,該季度他們僅交付了7臺EUV光刻機,但當(dāng)季接到的訂單已達23臺,創(chuàng)造了歷史記錄,而三星此次訂購則將消耗ASML近半年EUV設(shè)備產(chǎn)能。
據(jù)了解,由于EUV極短波長 13.5納米具有強力光線的技術(shù),能夠更完美地解析先進制程的設(shè)計,減少芯片生產(chǎn)步驟及光罩層數(shù),高速高頻,對芯片微縮、低功耗要求高,成為延續(xù)摩爾定律重要技術(shù)。
不過,要駕馭如此復(fù)雜且昂貴的系統(tǒng)來制造大批芯片卻是一件難事,三星雖最早宣布7納米制程導(dǎo)入EUV,但先前即傳出生產(chǎn)芯片良率及產(chǎn)量不足。
臺積電表示,7納米一開始未導(dǎo)入EUV,就是因為新技術(shù)導(dǎo)入制程需要經(jīng)歷一段學(xué)習(xí)曲線。臺積電稱,在7納米強效版成功學(xué)習(xí)經(jīng)驗,未來可順利導(dǎo)入5納米制程。
數(shù)據(jù)顯示,2019年Q3全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)臺積電以50.5%穩(wěn)坐第一,而近年努力發(fā)展先進制程的三星電子以18.5%的市占率位居第二,但三星很顯然不愿一直位居次席,一直在擴大半導(dǎo)體投資。
三星今年4月發(fā)布一項高達133萬億韓元的系統(tǒng)IC投資,其中60萬億韓元將用于晶圓代工設(shè)備投資。去年8月,三星曾發(fā)表3年180萬億韓元投資,其中90萬億到100萬億韓元將用于半導(dǎo)體設(shè)備。
業(yè)內(nèi)人士透露,為了超越臺積電,三星不僅會增加設(shè)備投資,還會通過提供技術(shù)競爭力來吸引客戶。
本文系觀察者網(wǎng)獨家稿件,未經(jīng)授權(quán),不得轉(zhuǎn)載。
標簽 臺積電- 責(zé)任編輯: 呂棟 
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