（觀察者網(wǎng) 訊）

據(jù)工信部網(wǎng)站10月8日消息，工信部當(dāng)天發(fā)布了《關(guān)于政協(xié)十三屆全國(guó)委員會(huì)第二次會(huì)議第2282號(hào)（公交郵電類256號(hào)）提案答復(fù)的函》。

函中稱，工信部及相關(guān)部門下一步將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)，調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則，并引導(dǎo)國(guó)內(nèi)企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等加強(qiáng)與先進(jìn)發(fā)達(dá)國(guó)家產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略合作。此外，工信部與教育部等部門將進(jìn)一步加強(qiáng)人才隊(duì)伍建設(shè)，推進(jìn)設(shè)立集成電路一級(jí)學(xué)科。

工信部回復(fù)政協(xié)提案稱，近年來(lái)，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得了長(zhǎng)足進(jìn)步，但是核心技術(shù)受制于人的局面仍然沒(méi)有根本改變，急需加強(qiáng)核心技術(shù)攻關(guān)，保障供應(yīng)鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全。在當(dāng)前復(fù)雜的國(guó)際形勢(shì)下，工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的發(fā)展滯后將制約我國(guó)新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，進(jìn)而影響國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展。

制定工業(yè)半導(dǎo)體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，出臺(tái)扶持技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策

工信部表示，該部、發(fā)改委及相關(guān)部門正積極研究出臺(tái)政策，推動(dòng)我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

下一步，工信部及相關(guān)部門還將根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)，調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過(guò)行業(yè)協(xié)會(huì)等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，深入推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同，促進(jìn)我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣。

開(kāi)放合作，推動(dòng)我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體芯片材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展

集成電路是高度國(guó)際化、市場(chǎng)化的產(chǎn)業(yè)，資源整合、國(guó)際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。工信部與相關(guān)部門積極支持國(guó)內(nèi)企業(yè)、高校、研究院所與先進(jìn)發(fā)達(dá)國(guó)家加強(qiáng)交流合作。引進(jìn)國(guó)外先進(jìn)技術(shù)和研發(fā)團(tuán)隊(duì)，推動(dòng)包括工業(yè)半導(dǎo)體芯片、器件等領(lǐng)域國(guó)際專家來(lái)華交流，支持海外高層次產(chǎn)業(yè)人才來(lái)華發(fā)展，提升我國(guó)在工業(yè)半導(dǎo)體芯片相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)能力和技術(shù)實(shí)力。

下一步，工信部和相關(guān)部門將繼續(xù)加快推進(jìn)開(kāi)放發(fā)展。引導(dǎo)國(guó)內(nèi)企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等加強(qiáng)與先進(jìn)發(fā)達(dá)國(guó)家產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略合作，進(jìn)一步鼓勵(lì)我國(guó)企業(yè)引進(jìn)國(guó)外專家團(tuán)隊(duì)，促進(jìn)我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。

步步為營(yíng)，分階段突破關(guān)鍵技術(shù)

為解決工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問(wèn)題，工信部等相關(guān)部門積極支持工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。

一是2017年工信部推出“工業(yè)強(qiáng)基IGBT器件一條龍應(yīng)用計(jì)劃”，針對(duì)新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領(lǐng)域，重點(diǎn)支持IGBT設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊生產(chǎn)及IDM、上游材料、生產(chǎn)設(shè)備制造等環(huán)節(jié)，促進(jìn)IGBT及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

二是指導(dǎo)湖南省建立功率半導(dǎo)體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè)，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關(guān)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵共性技術(shù)。

三是指導(dǎo)中國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國(guó)IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2018-2030）》，引導(dǎo)我國(guó)IGBT行業(yè)技術(shù)升級(jí)，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

下一步，工信部將繼續(xù)支持我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體領(lǐng)域成熟技術(shù)發(fā)展，推動(dòng)我國(guó)芯片制造領(lǐng)域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，推動(dòng)我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

高度重視人才隊(duì)伍培養(yǎng)，出臺(tái)政策措施建立該領(lǐng)域長(zhǎng)期有效的人才培養(yǎng)計(jì)劃

工信部稱，人才問(wèn)題，特別是高端人才團(tuán)隊(duì)短缺，當(dāng)前成為了制約我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。為此，工信部及相關(guān)部門積極推動(dòng)我國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)。

一是工信部、教育部共同推動(dòng)籌建集成電路產(chǎn)教融合發(fā)展聯(lián)盟，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的資源整合，推動(dòng)培養(yǎng)擁有工程化能力的產(chǎn)業(yè)人才。

二是同時(shí)以集成電路為試點(diǎn)實(shí)施關(guān)鍵領(lǐng)域核心技術(shù)緊缺博士人才自主培養(yǎng)專項(xiàng)，根據(jù)行業(yè)企業(yè)需要，依托高水平大學(xué)和國(guó)內(nèi)骨干企業(yè)，針對(duì)性地培養(yǎng)一批高端博士人才。

三是教育部、工信部等相關(guān)部門印發(fā)了《關(guān)于支持有關(guān)高校建設(shè)示范性微電子學(xué)院的通知》，支持26所高校建設(shè)或籌建示范性微電子學(xué)院，推動(dòng)高校與區(qū)域內(nèi)集成電路領(lǐng)域骨干企業(yè)、國(guó)家公共服務(wù)平臺(tái)、科技創(chuàng)新平臺(tái)、產(chǎn)業(yè)化基地和地方政府等加強(qiáng)合作。

接下來(lái)，工信部與教育部等部門將進(jìn)一步加強(qiáng)人才隊(duì)伍建設(shè)。推進(jìn)設(shè)立集成電路一級(jí)學(xué)科，進(jìn)一步做實(shí)做強(qiáng)示范性微電子學(xué)院，加快建設(shè)集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺(tái)，保障我國(guó)在工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。

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