集微網(wǎng)消息（文/Oliver），9月19日，在2019中芯國(guó)際技術(shù)研討會(huì)上，中芯國(guó)際市場(chǎng)及海外銷售副總裁Kelvin Low表示，中芯國(guó)際的14nm FinFET工藝良率正不斷爬坡，產(chǎn)能也正成指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。

Kelvin Low表示，在每一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，中芯國(guó)際都在針對(duì)不同的應(yīng)用需求來(lái)推出不同IP產(chǎn)品，例如MCU、基站等橫向應(yīng)用領(lǐng)域。雖然MCU現(xiàn)在可能只會(huì)應(yīng)用到55nm和40nm工藝，但Kelvin透露，目前也有客戶在考慮采用FinFET技術(shù)，所以未來(lái)FinFET技術(shù)擁將有很大的市場(chǎng)。

目前，中芯國(guó)際的14nm已經(jīng)進(jìn)入了客戶風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)階段，12nm也已經(jīng)進(jìn)入了客戶導(dǎo)入階段。那么12nm相較于14nm有何提升呢？

Kelvin表示，中芯國(guó)際致力于幫助客戶打造低功耗、高性能的產(chǎn)品，而功耗的表現(xiàn)需要從多個(gè)維度去比較。具體來(lái)看，中芯國(guó)際的12nm相較于14nm能將芯片尺寸縮小10%，動(dòng)態(tài)功耗降低10%，靜態(tài)功耗降低36%。

雖然射頻和車(chē)用電子目前還沒(méi)有用到先進(jìn)工藝，但Kelvin認(rèn)為，除了MCU，這兩個(gè)領(lǐng)域很快也會(huì)使用到14nm和12nm，中芯國(guó)際從工藝到封裝都已經(jīng)做好了準(zhǔn)備。

趙海軍：兩年之內(nèi)必將出現(xiàn)電流計(jì)算的3nm技術(shù)

中芯國(guó)際聯(lián)合CEO趙海軍博士在2019中芯國(guó)際技術(shù)研討會(huì)上講到，有好的設(shè)備中芯國(guó)際工藝也能很快的升級(jí)換代，因?yàn)槠骷⒉恍枰隆I(yè)界兩年之內(nèi)一定會(huì)出現(xiàn)3nm，但是是電流計(jì)算的3nm。

趙海軍博士表示，中芯國(guó)際要做快速跟隨者，要做第二梯隊(duì)的第一名。他指出，市場(chǎng)上主要有引領(lǐng)者、挑戰(zhàn)者、跟隨者和利基者四個(gè)角色，而中芯國(guó)際要做快速的跟隨者，要做第二梯隊(duì)的第一名。

關(guān)于集成電路代工產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，趙海軍指出，在智能手機(jī)的驅(qū)動(dòng)下，由于當(dāng)今的工藝已經(jīng)不需要做新器件，所以基本能做到一年一代。也因此，如果有好的設(shè)備，中芯國(guó)際也能很快的升級(jí)換代。

另外，趙海軍還表示，業(yè)界兩年內(nèi)一定會(huì)會(huì)出現(xiàn)3nm工藝，因?yàn)樗麄円呀?jīng)做得差不多了。不過(guò)3nm是電流計(jì)算的3nm。