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美光擴建NAND閃存工廠但不增產(chǎn) 128層閃存有重大變化

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2019-08-15 13:06:14 字號：A- A A+ 來源：快科技

關(guān)鍵字: 閃存

本文來自：快科技

日前美光公司在新加坡舉行了Fab 10A工廠啟用慶典，包括美光CEO Sanjay Mehrotra在內(nèi)的高層及合作伙伴、供應(yīng)商、經(jīng)銷商等500多人參加了活動。

除了美國本土之外，美光公司在新加坡有編號Fab 10的NAND工廠，2016年又在新加坡成立了NAND卓越中心，又擴建了Fab 10晶圓廠的生產(chǎn)能力，新蓋了無塵室等生產(chǎn)設(shè)施，提高了Fab 10晶圓廠的生產(chǎn)靈活性。

不過在目前NAND閃存價格持續(xù)下滑的情況下，美光雖然擴建了新加坡的Fab 10A工廠，但并不打算增產(chǎn)NAND，通過資本開支調(diào)整、技術(shù)轉(zhuǎn)換等方式，F(xiàn)ab 10廠區(qū)的總產(chǎn)能不變。

美光CEO Sanjay Mehrotra還提到了美光NAND閃存路線圖的變化，目前96層堆棧的3D閃存已經(jīng)量產(chǎn)，而在第四代3D閃存上會有重大變化，128層堆棧閃存將會從此前的FG浮柵極技術(shù)轉(zhuǎn)向RG替換柵極技術(shù)。

在2D閃存時代，各大廠商基本上都是以FG浮柵極技術(shù)為主，轉(zhuǎn)向3D閃存之后三星率先使用了CTP電荷陷阱技術(shù)，其他廠商也陸續(xù)跟進，只有美光、Intel有所不同，雙方在3D閃存技術(shù)發(fā)展上也產(chǎn)生了分歧，據(jù)說這就是兩家公司在96層堆棧3D閃存之后決定分手、互相獨立研發(fā)生產(chǎn)的關(guān)鍵，Intel會繼續(xù)堅持浮柵極。

在美光之外，其他家閃存廠目前沒有聽說采用RG可替換柵極技術(shù)的。
標簽工廠
- 原標題：美光擴建NAND閃存工廠但不增產(chǎn) 128層閃存有重大變化
- 責任編輯:呂棟
- 最后更新: 2019-08-15 13:08:03
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