來源：中國電子報

SEMI發(fā)布預(yù)測報告，2019年全球晶圓廠設(shè)備支出將下降14％，約為530億美元，預(yù)計2020年會出現(xiàn)27％的復(fù)蘇。在存儲器行業(yè)放緩的影響下，晶圓廠設(shè)備支出連續(xù)三年持續(xù)增長的態(tài)勢告一段落。不過，中國市場的設(shè)備投資仍然保持增長動能，2019年有望成為繼韓國之后的第二大半導(dǎo)體設(shè)備市場。

兩大因素導(dǎo)致2019年資本支出下滑14%

全球半導(dǎo)體設(shè)備市場動向反映了主要廠商的投資狀況，如果景氣向好，廠商積極投資，設(shè)備市場也會同步增長；反之，如果景氣不佳，廠商投資意愿也會轉(zhuǎn)趨保守，使得設(shè)備市場規(guī)模縮減。

晶圓廠設(shè)備支出下降的主要原因是受到存儲器市場需求疲弱以及晶圓代工廠放緩資本支出兩大因素影響。根據(jù)SEMI報告的分析，在過去兩年中，存儲器行業(yè)的投資占所有設(shè)備支出的55％，存儲器市場的任何波動都會影響整體設(shè)備市場。而對半年來晶圓廠設(shè)備支出的回顧表明，高水平庫存和需求疲軟導(dǎo)致2018年下半年DRAM和NAND兩大存儲器價格的下跌，且跌幅大于預(yù)期。這是直接導(dǎo)致存儲器廠商支出下降的主要原因。根據(jù)此前媒體的報道，最大的存儲器廠商三星電子為了阻止存儲器價格下滑，2019年的整體資本支出將下滑8%，其中在DRAM上的投資大砍20%。而根據(jù)SEMI的預(yù)測，存儲器廠商整體支出將下降36％。

晶圓代工廠是半導(dǎo)體設(shè)備支出的第二大影響因素。在過去兩年中，每年晶圓代工廠設(shè)備訂單占整體市場份額在25％到30％之間。SEMI預(yù)計，在2019年和2020年晶圓代工廠訂單的年度份額將穩(wěn)定在30％左右。雖然晶圓代工廠在設(shè)備支出方面通常波動小于存儲廠商，但是此次依然受到市場變化的影響。2018年下半年晶圓代工廠的設(shè)備支出下降了13％。

中國市場繼續(xù)保持增長動能

盡管全球設(shè)備支出下降，但是來自中國市場的設(shè)備投資卻保持增長動能，這也使得未來中國市場的重要性進一步提高。根據(jù)ICInsights的報告，2019年全球?qū)⒂?座新的12英寸晶圓廠開業(yè)，其中有5座來自中國。2018年全年一共新開了7家12英寸晶圓廠，而今年又將新增9家12英寸廠，這是繼2007年以來一年內(nèi)最多的一次。SEMI在報告中也指出，2018年中國在晶圓廠方面的投資激增，成為全球第二大設(shè)備市場，僅次于韓國。

盤點近年來國內(nèi)投資建設(shè)的晶圓廠情況，根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計，2018年度宣布投產(chǎn)的晶圓廠達到10家；2018年度前已經(jīng)投產(chǎn)，但2018年開始新產(chǎn)能建設(shè)的有4家；2018年度正在建設(shè)的全新晶圓生線21條：2018年度規(guī)劃建的有2家。中國在晶圓廠建設(shè)上的投資領(lǐng)先全球。

其中較具代表性的上海華力二期項目于2016年12月30日開工建設(shè)，2018年10月18日生產(chǎn)線正式投片，首批12英寸硅片進入設(shè)備，開始28納米工藝芯片制造。長江存儲2016年7月26日成立，2016年12月30日國家存儲器基地項目正式開工建設(shè)，2018年第四季度長江存儲一期工程正式投產(chǎn)，32層3DNAND閃存芯片成功實現(xiàn)量產(chǎn)。2018年第三季度中芯寧波8英寸特種工藝N1產(chǎn)線生產(chǎn)設(shè)備進廠，2018年11月2日正式投產(chǎn)。同日，N2產(chǎn)線開工建設(shè)。

國際廠商在中國大陸進行了大量晶圓廠的布局建設(shè)，也是中國設(shè)備需求增長的重要原因。盤點重點項目包括：2016年3月臺積電南京項目正式落戶，2016年7月項目一期開工建設(shè)，2018年5月晶圓廠開始試投產(chǎn)。2018年第二季度，英特爾宣布大連廠二期投產(chǎn)，主要生產(chǎn)96層的3DNAND閃存。2018年3月三星宣布在西安舉行第二條NAND閃存芯片生產(chǎn)線的奠基儀式，2019年投產(chǎn)。2017年10月29日，SK海力士計劃在無錫興建新廠，項目完成后將形成月產(chǎn)能20萬片10納米工藝等級的晶圓生產(chǎn)線。

上海華虹（集團）有限公司董事長張素心在SEMICONChina2019的開幕主題演講中指出，中國集成電路企業(yè)是全球材料設(shè)備企業(yè)的重要合作伙伴。中國是全球第二大半導(dǎo)體設(shè)備市場，2018年達到118億美元，預(yù)測2019年將成為全球第一大市場，同時也是主要設(shè)備廠商最重要的市場。

KLA-Tencor高級副總裁兼首席營銷官OresteDonzella表示，盡管業(yè)內(nèi)普遍認為2019年半導(dǎo)體設(shè)備市場增長平緩，但中國的晶圓廠設(shè)備市場增長卻相對較快。

中國設(shè)備業(yè)應(yīng)抓住難得的市場機遇

盡管中國半導(dǎo)體以及相關(guān)設(shè)備市場持續(xù)擴大，但是裝備制造業(yè)一直是中國半導(dǎo)體的薄弱環(huán)節(jié)。上述半導(dǎo)體設(shè)備也大多需要從國際設(shè)備廠采購。據(jù)美國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)調(diào)查公司VLSIResearch發(fā)布的2018年全球半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備廠商排名，前十廠商美國4家，日本5家，歐州1家。中國供應(yīng)商還無法滿足國內(nèi)晶圓廠的需求。

不過，經(jīng)過這些年的發(fā)展，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)已呈現(xiàn)出較快增長的勢頭。北方華創(chuàng)通過近九年的科技攻關(guān)，完成了刻蝕機、磁控濺射、氧化爐、低壓化學氣相沉積、清洗機、原子層沉積等集成電路設(shè)備90/55/40/28納米工藝驗證，實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。中微半導(dǎo)體先后承擔并圓滿完成65～45納米、32～22納米、22～14納米等三項等離子介質(zhì)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的集成電路專項任務(wù)，使我國在該項設(shè)備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國際先進水平同步。

在市場需求快速增長的背景下，中國設(shè)備企業(yè)也應(yīng)抓住機遇，趕上這班高速增長的“列車”。中科院微電子所所長葉甜春指出，要想做強中國集成電路產(chǎn)業(yè)特別是裝備制造業(yè)，幾個問題亟待解決：一是產(chǎn)業(yè)模式單一，需要在無晶圓設(shè)計和芯片代工制造基礎(chǔ)上，根據(jù)產(chǎn)品特點發(fā)展多元的模式，尤其是IDM。二是裝備和材料還要加強，現(xiàn)在28納米以上的產(chǎn)品工藝和特色工藝種類覆蓋仍然不夠。三是協(xié)同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)生態(tài)需要盡快形成，“系統(tǒng)-芯片-工藝-裝備-材料”緊密協(xié)同對整個產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。四是改變產(chǎn)業(yè)布局的無序競爭、碎片化與同質(zhì)化傾向。