中國自研Nvme固態(tài)硬盤主控獲得重大突破:讀取超3000MB/s

本文轉(zhuǎn)自：我愛存儲網(wǎng)

日前我愛存儲網(wǎng)從上游供應鏈了解到，中國自研PCIe(NVMe)固態(tài)硬盤主控芯片性能指標已獲得實質(zhì)性技術(shù)突破，從實測性能看已經(jīng)超過國外同類PCIe主控性能指標，主控性能爆棚。據(jù)了解2019年1月美國CES展會期間，該國產(chǎn)PCIe固態(tài)硬盤主控芯片將隨國際知名SSD品牌廠商同臺展出，并正式對外發(fā)布。

國產(chǎn)主控測試性能，從圖中可以看出是1TB的版本，連續(xù)讀取性能3375MB/s，連續(xù)寫入高達2675MB/s。其中4K性能也極其強大！而且，由于是原型機，所以后續(xù)應該還有優(yōu)化的空間！這個性能已經(jīng)與可以與國際一線同臺了！

該國產(chǎn)主控合作伙伴評測原型板 主控的容量適配，也是一個市場的關(guān)注點，同樣也是技術(shù)上的重點，我愛存儲網(wǎng)得知該國產(chǎn)PCIe固態(tài)硬盤主控芯片目前已經(jīng)完成256G、512G、1TB、2TB四種容量固件開發(fā)，4TB版本固件也將會推出。

性能上以1TB版本為例，順序讀寫速度3375MB/s、2675MB/s，隨機讀寫性能最高可到達687KIOPS、431KIOPS，而且還在不斷的優(yōu)化中，最終性能會更好。 

該國產(chǎn)PCIe固態(tài)硬盤主控芯片業(yè)務負責人向我愛存儲網(wǎng)透露：“公司為此PCIe（NVME）的固態(tài)硬盤主控芯片的研發(fā)投入100多名工程師，3名博士，歷經(jīng)20多個月精心打磨，目前測試情況顯示該固態(tài)硬盤主控芯片各項指標均達到國際領(lǐng)先水平。

當前SATA接口固態(tài)硬盤主控芯片，國內(nèi)已經(jīng)有廠商實現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)，技術(shù)實力已經(jīng)可以與國際接軌，但在PCIe接口固態(tài)硬盤主控芯片領(lǐng)域，雖然有多個國內(nèi)廠商陸續(xù)發(fā)布多款產(chǎn)品，但尚未形成規(guī)模商業(yè)應用案例，與國際同行的技術(shù)成熟度和可量產(chǎn)性尚存在較大差距。此次公司推出的PCIe接口固態(tài)硬盤主控芯片力爭在2019年能夠通過其高品質(zhì)獲得市場的青睞，獲得一席之地，從而彌補國產(chǎn)PCIe主控芯片沒有大規(guī)模量產(chǎn)的缺憾”。  

我愛存儲網(wǎng)觀點：

1. 當前市場上NVME接口的固態(tài)硬盤貨源并不穩(wěn)定，期待這顆中國芯能早日量產(chǎn)， 進入產(chǎn)業(yè)鏈，為市場和消費者帶來更豐富的高性能選擇！

2. 正如該國產(chǎn)PCIE（NVME）主控芯片業(yè)務負責人所透露的，目前國產(chǎn)SATA主控芯片已經(jīng)有多家大規(guī)模量產(chǎn)。但在PCIE（NVME）上目前還有缺口。

3. 一旦該國產(chǎn)PCIE（NVME）主控芯片大規(guī)模量產(chǎn)，將會驅(qū)動國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈一起升級，形成”技術(shù)——產(chǎn)品——營銷”的新體系。我們期待！

• 原標題：中國自研Nvme固態(tài)硬盤主控獲得重大突破:讀取超3000MB/s
• 責任編輯:于文凱
• 最后更新: 2018-12-28 20:11:06

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