在芯片制造領域，臺積電和三星的先進制程競爭無疑吸引了最多的目光，人們也期待中國企業(yè)能夠早日迎頭趕上。但是對于中國晶圓代工產業(yè)來說，眼下更重要的一場競爭或許是在成熟制程（28nm及以上）領域。

      光刻膠是探討這個問題的一個典型切口。截至目前，國產光刻膠產業(yè)仍然極其薄弱，即使在I線（365nm）水平上市占率也僅為10%左右，在DUV（28nm及以上）領域僅處于滲透初期，EUV（28nm以下）光刻膠幾乎一片空白。這是因為，光刻膠是一個定制化程度極高的產品，若沒有下游企業(yè)的大訂單需求，就完全沒有規(guī)模效應，導致新玩家難以進入。因此，除了材料企業(yè)自身投入研發(fā)之外，中國未來幾年成熟制程晶圓代工的擴張速度，或許才是決定國產光刻膠進度的關鍵因素。

      其實韓國人也已經看到了成熟制程的巨大價值。不久前，韓國學界提議組建主攻成熟制程的“韓積電”，因為成熟制程對上下游中小企業(yè)的帶動作用更加明顯。在三星逐漸在先進制程上掉隊之后，中韓成熟制程未來勢必展開更激烈的競爭。

2024年12月26日，廈門恒坤新材的IPO申請獲得上交所受理，將科創(chuàng)板上市，這是一家專注于光刻材料和前驅體材料等產品的研發(fā)、生產和銷售的企業(yè)，其中光刻膠占到了其總營收的超過八成。招股說明書申報稿顯示，恒坤新材計劃通過此次發(fā)行募集約12億元人民幣的資金，主要用于推進集成電路前驅體二期項目、SiARC開發(fā)與產業(yè)化項目以及集成電路用先進材料項目的建設和發(fā)展。

在當前全球半導體行業(yè)競爭加劇以及國內IPO審核趨于嚴格的背景下，恒坤新材的上市申請顯得尤為引人注目。隨著中美科技競爭加劇以及全球供應鏈不確定性增加，確保半導體制造所需的關鍵材料供應安全，已經成為了中國政府一項重要的政策目標。而在半導體制造的世界里，就有這么一種材料，它的關鍵性地位堪比光刻機本身，那便是光刻膠。

這種對紫外線敏感的聚合物，不僅是芯片生產的核心，更是科技自主的生命線。隨著全球科技競爭的日益激烈，光刻膠的供需矛盾已經逐漸顯現，已經成了制約半導體產業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題。尤其是在中國，面對國際市場的封鎖與層層技術壁壘，如何攻克高端光刻膠的瓶頸，已然成為國家科技戰(zhàn)略的重中之重。

重要的戰(zhàn)略物資

光刻膠（Photoresist）也叫光致抗蝕劑，在半導體制造、顯示器面板和印刷電路板（PCB）制造等精密微細加工領域中扮演著十分重要的角色。它通過光照圖案化，使得特定區(qū)域發(fā)生化學變化，從而實現電路或器件結構的轉移。作為集成電路制造過程中的核心材料，光刻膠決定了芯片的精密程度和生產的良率。

在芯片制造流程中，硅片表面會被均勻涂覆一層光刻膠，隨后利用掩膜版進行曝光。根據曝光后發(fā)生的化學反應，光刻膠分為正性和負性兩種類型。對于正性光刻膠而言，受光照射部分會在顯影過程中被溶解去除；而對于負性光刻膠，未受光照的部分則會被顯影液溶解。這一過程精確地復制了所需的圖形，并將其“蝕刻”到硅片上，構成芯片制造的關鍵步驟之一。

光刻膠的工作機制

按曝光波長的不同，光刻膠可以進一步被細分為G線光刻膠（436nm）、I線光刻膠（365nm）、KrF光刻膠（248nm）、ArF光刻膠（193nm）以及EUV光刻膠（13.5nm）。隨著光刻技術的演進，光刻膠的工藝也需要持續(xù)革新，來匹配更短波長的光源需求，設計新的聚合物體系，降低光吸收率并提升對光的敏感度。

G線光刻膠主要用于較大線寬的微電子加工，在印制電路板（PCB）等領域也有廣泛應用；I線光刻膠相較于G線可實現更小的特征尺寸，常用于MEMS、LCD、LED等領域；KrF光刻膠是較早應用于深紫外光刻（DUV）的主要光刻膠，與KrF準分子激光光源搭配使用，可獲得更高分辨率；ArF光刻膠與ArF準分子激光配合使用，可進一步縮小特征尺寸，是DUV工藝的核心技術之一，被廣泛應用于90nm、65nm、45nm及更先進的制程節(jié)點；而EUV光刻膠則采用極紫外光（EUV）作為曝光光源，用于7nm及以下更先進制程（如5nm、3nm等）。

極短波長帶來極高分辨率，但也意味著光源、掩膜、光學系統(tǒng)和光刻膠材料等方面都面臨嚴峻挑戰(zhàn)。每一次波長的減小都伴隨著光刻膠的工藝升級和設備迭代，而光刻膠的工藝升級和技術迭代又反過來，成為推動半導體制造不斷向摩爾定律極限逼近的重要動力。

正在逼近的風險

在全球光刻膠市場中，美日企業(yè)長期以來占據了主導地位。特別是日本的合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、信越化學和住友化學等公司，它們不僅是該領域的核心供應商，在高端半導體光刻膠市場上，日本企業(yè)更是占據著約80%的壓倒性份額。這些企業(yè)憑借深厚的技術積淀和持續(xù)的研發(fā)投入，不僅掌握了光刻膠的關鍵技術，還引領了行業(yè)的進步方向。

亞洲地區(qū)作為全球半導體制造活動最為集中的區(qū)域，自然而然地成為了光刻膠需求的最大市場。尤其在中國大陸，隨著國內半導體產業(yè)的迅猛擴張，對光刻膠的需求量出現了驚人的增長。從2019年至2023年期間，中國光刻膠市場的年均復合增長率達到了23%，市場規(guī)模達到了121億元人民幣，占據了全球光刻膠總銷售額的五分之一，且這個比例還在不斷上升。

中國也有自己的光刻膠產業(yè)，但因為起步較晚，產品主要集中在中低端市場。比如在比較基礎的PCB（印刷電路板）光刻膠領域，中國的產值已經占到了全球的70%以上；而在顯示面板用光刻膠領域，國產品牌則占據了大約35%的市場份額，但仍以中低端產品為主，對于高世代線面板所需的彩色和黑色光刻膠這類高端產品，中國市場依然嚴重依賴進口。至于最為復雜且至關重要的半導體光刻膠，中國幾乎完全依靠國外供應，尤其是在EUV（極紫外）光刻膠方面，國產化率為0，而KrF和ArF光刻膠的國產化率也分別只有1-2%和不足1%，g線、i線光刻膠則稍好一些，但也僅達到10%左右的國產化率。

隨著中國半導體行業(yè)向更精細的制程節(jié)點邁進，如28納米、14納米甚至更小尺寸的工藝，對高端光刻膠的需求也隨之水漲船高。一方面，在當前中國面臨EUV極紫外光刻技術受限的大背景下，通過多重曝光和浸沒式光刻技術已經成為了國內半導體產業(yè)突破技術節(jié)點的關鍵路徑，而這進一步增加了對高質量光刻材料的需求。在另一方面，存儲芯片中閃存芯片推進3D NAND、內存芯片技術節(jié)點持續(xù)升級、邏輯芯片轉向FinFET結構等新的行業(yè)趨勢，也對光刻材料提出了更高的要求，促使光刻材料持續(xù)演進。

高端國產光刻膠產品供給的短缺，已經成為制約行業(yè)發(fā)展的瓶頸。面對國際上日益嚴峻的地緣政治環(huán)境和技術封鎖，提高光刻膠國產化水平對于保障中國半導體供應鏈的安全至關重要。

2019年，日本政府宣布加強對包括光刻膠在內的三種關鍵材料的出口管制，并將韓國從友好國家“白名單”中剔除，直接對韓國半導體產業(yè)造成了巨大的影響，三星、SK海力士等半導體產業(yè)面臨停產風險，日均虧損高達5萬億韓元，遭受了嚴重的打擊，直到2023年，日本才恢復對韓國半導體關鍵材料的出口。

這一舉措引發(fā)了全球對于供應鏈安全的關注，也警示了中國也可能面臨的類似風險。雖然日本方面針對中國光刻材料的出口限制措施尚未大規(guī)模實施，但近年來美國對中國高科技產業(yè)的打壓，已經顯著增加了這種可能性。

2022年10月，美國政府出臺了一項新的出口管制政策，明確禁止向中國出口用于半導體制造工藝中的特定設備以及相關中間材料。這直接影響到了美國杜邦公司，導致該公司隨后減少了對中國的光刻膠供應，特別是那些應用于先進制程的ArF（氟化氬）光刻膠和高端KrF（氟化氪）光刻膠。

2023年7月，日本政府實施新的出口管制措施，將涉及清洗、成膜、熱處理、曝光、蝕刻和檢測等23種類別的先進芯片制造設備被納入到出口管制清單中。雖然出于市場考慮，日本并未出臺針對中國光刻膠的大范圍出口管制，但日本政府還是通過一些其他的方式，強化了對光刻膠的管控。在早些時候的6月26日，由日本政府支持的日本產業(yè)革新投資機構（JIC）同意以9093億日元的價格，收購全球最大的光刻膠供應商JSR，進一步強化了政府對光刻膠這一關鍵材料的直接控制。

日本經產省修訂出口管制措施

路透社曾在2024年3月報道，美國正通過外交渠道游說、施壓其他國家和地區(qū)加入其行列，以減少對中國的技術和材料出口。具體來說，美國呼吁日本與荷蘭加強對華半導體產品的控制，特別是要求日本限制對中國的光刻膠產品的銷售。而在同年10月，美國眾議院中國問題特別委員會再次敦促日本，要求其強化對中國半導體產業(yè)的出口管制，并“嚴厲警告”說如果日本不響應號召，可能會面臨美國對其國內公司的不利行動。而日經新聞網在隨后報道，美國政府計劃在總統(tǒng)大選之后繼續(xù)施壓日本，確保其參與更為嚴格的出口管制體系，特別是針對中國市場的光刻膠銷售。

這些事態(tài)發(fā)展凸顯了中國在未來可能遭遇更嚴格進口限制的風險。高端光刻膠的保質期普遍比較短，只有半年左右，無法大量囤貨。如果原材料供應端出現問題，比如國際貿易摩擦導致的供應中斷或限制，將對國內光刻膠企業(yè)的正常研發(fā)和生產經營產生非常大的影響。無論是出于應對外部壓力還是滿足自身發(fā)展的需求，建立一個自主可控的光刻膠產業(yè)都已經變得尤為迫切。

技術、原料、市場與客戶壁壘

但光刻膠的研發(fā)是一個復雜且多面性的過程，它不僅涉及到精細化工領域的配方技術，還涵蓋了質量控制技術和原材料技術等方面的專業(yè)知識。這一領域的發(fā)展需要長時間的技術積淀，合成工藝與配方設計的難度極高，一款成功的光刻膠產品背后，往往凝聚著數十年的研究成果和無數次試驗的結晶。

特別是近年來，隨著半導體技術的進步，特別是FinFET（鰭式場效應晶體管）結構工藝和3D NAND閃存堆棧工藝等先進工藝的應用，對光刻膠的要求也愈發(fā)嚴格。這些新工藝要求光刻膠不僅在常規(guī)條件下表現出色，還要在特殊情況下保持良好的穩(wěn)定性和一致性，以確保高分辨率圖形轉移的精度和可靠性。此外，為了適應更細小的特征尺寸，光刻膠必須具備更高的敏感性和更低的缺陷率，這些都對光刻膠的研發(fā)提出了更大的挑戰(zhàn)。

但中國光刻膠產業(yè)面臨的挑戰(zhàn)還不止于此，在國內市場上，能提供符合電子級標準的光刻膠原料供應商屈指可數，大量關鍵的原材料仍然依賴從外部進口，這不僅增加了生產的成本，也為整個光刻膠產業(yè)鏈的安全性提出了潛在的挑戰(zhàn)。

但在光刻膠這一高度專業(yè)化的領域，技術的復雜性和原料的進口依賴只是其諸多挑戰(zhàn)中的一部分，市場準入和客戶關系還構成了另外兩座難以跨越的大山。

光刻膠是一個同時有著“高研發(fā)成本”和“低規(guī)模效應”這兩大特點的產業(yè)。光刻膠產品通常有著高度“定制化”的特點，不光是不同客戶會有不同的應用需求，就算是同一個客戶，也會有著不同的光刻應用需求。一個典型的半導體芯片制造流程，可能需要經歷10到50次的光刻步驟。由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，就算是相似的光刻過程，不同的制造商也會有不同的要求。這種多樣性不僅增加了生產的復雜度，也限制了光刻膠生產規(guī)模的擴大，難以通過大規(guī)模生產來降低成本。

正因為如此，光刻膠企業(yè)必須與晶圓制造廠商緊密合作，針對特定的應用進行定制化的產品開發(fā)，不僅要提供標準化產品，還需根據客戶需求調整配方或設計新的解決方案。對于光刻膠的制造商來說，能夠根據不同應用需求靈活調整配方的能力，才是其真正的“核心競爭力”，少數來自日本和美國的化學巨頭正是憑借著其強大的創(chuàng)新和定制能力，長期占據著全球光刻膠市場的主導地位，幾乎不存在潛在的競爭者。相比之下，受規(guī)模和資源所限，中國的光刻膠企業(yè)在研發(fā)投入和技術專利數量上與國際同行有著比較大的差距。

政策扶持推動突破

在過去幾年，中國的光刻膠產業(yè)取得了一些比較顯著的進展，這在很大程度上得益于國家層面的戰(zhàn)略支持和政策導向。早在“十二五”規(guī)劃期間（2011-2015年），中國就通過“02專項”——即《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》項目，給予了國產光刻膠研發(fā)和產業(yè)化的大力扶持，旨在減少對進口光刻膠的依賴，推動國內半導體產業(yè)鏈的自主可控。

“02專項”為國產光刻膠的研發(fā)和產業(yè)化注入了強大的動力，對許多當初決心進入這一領域的初創(chuàng)企業(yè)提供了寶貴的“救命錢”。如今國產光刻膠行業(yè)的龍頭，北京科華微電子材料有限公司（現隸屬于彤程新材料集團）的經歷，就是這一發(fā)展歷程中的一個典型代表。

2004年，北京科華微電子創(chuàng)業(yè)時，決定用花五年時間，在國內建成當時最先進的G/I線光刻膠生產線。當時北京科華手里有的，只有創(chuàng)始人東拼西湊來的1000萬美元創(chuàng)業(yè)資金。但由于國內缺乏相關產業(yè)鏈支持和專業(yè)人才，光刻膠工廠的過程遠比預期中的艱難，建廠費用嚴重超支，原本計劃12月完成的建廠工作，最后花了30個月才完成。2009年，北京科華微電子建成國內首條G/I線光刻膠產線時，手上的1000萬美元創(chuàng)業(yè)資金早已被燒完。就在最困難的時候，國家的“02專項”伸出了援手，幫助科華微電子渡過了難關。

2010年，科華微電子作為02專項——即國家科技重大專項《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》的承接單位，獲得了超過1億元人民幣的資金支持。有了這筆科研經費的支持，科華微電子不僅在三年內成功建立了國內第一條KrF光刻膠生產線，還逐步贏得了本土8英寸和12英寸晶圓客戶的信任。經過了幾年的小規(guī)模生產，2017年，科華微電子實現了KrF光刻膠產線的大規(guī)模量產，并初步完成了進口替代，成為國內半導體企業(yè)的主要供應商之一。2020年，北京科華被彤程新材收購，公司在技術和資源方面得到了進一步的增強。截至今年上半年，彤程新材已經在ArF光刻膠的研發(fā)與生產上取得了顯著成就，達到了量產能力，并開始連續(xù)接單并產生收入，成為了推動其營收增長的主要力量。

北京科華微電子

另一家國產光刻膠企業(yè)，南大光電同樣受益于“02專項”。在2017年和2018年，南大光電分別承擔了兩個關鍵的02專項項目，專注于高分辨率光刻膠和先進封裝光刻膠的研發(fā)以及ArF光刻膠的開發(fā)和產業(yè)化。這些項目在隨后的幾年里通過了專家組的驗收，不僅實現了國產ArF光刻膠的產品驗證和技術突破，還促成了三款產品在市場上獲得認可并實現銷售。而近期準備上市的廈門恒坤新材，也是在2020年開始承接了國家02專項的重大課題，并在2023年結題通過驗收，打破了境外廠商對集成電路關鍵材料壟斷。隨著越來越多的企業(yè)加入到光刻膠技術的自主研發(fā)行列，中國的半導體行業(yè)正朝著更加獨立和可持續(xù)的方向邁進。

而在國產化率為零的EUV光刻膠領域，今年也有一些新的進展。4月份，湖北的九峰山實驗室與華中科技大學攜手的研究團隊成功攻克了“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學放大光刻膠”技術難題，完成了初步的工藝驗證和技術指標優(yōu)化。這項自主創(chuàng)新的光刻膠體系有望為解決光刻制造中的共性問題提供方向，并為EUV光刻膠的發(fā)展提供了強有力的技術儲備，預示著中國在高端光刻膠自主研發(fā)方面邁出了重要一步。

盡管在技術研發(fā)上取得了顯著的進步，但在將這些技術轉化為市場應用的過程中，國產光刻膠企業(yè)仍然面臨著諸多挑戰(zhàn)。

光刻膠行業(yè)的下游客戶主要是晶圓制造廠商，由于光刻膠的質量直接關系到芯片的性能和良率等核心指標，任何錯誤都可能導致高昂的成本，因此下游的晶圓廠在選擇供應商時，往往極其謹慎，要求極為嚴格。

為了進入市場，一款新的光刻膠產品必須經歷一個嚴苛而冗長的認證流程。這個過程包括但不限于PRS（性能驗證）、STR（小批量試產）、MSTR（大批量試產）以及最終的Release（正式供貨），每個階段都需要確保光刻膠在不同條件下的穩(wěn)定性和一致性，以證明其可以滿足工業(yè)生產的高標準要求。整個認證周期通常需要長達兩年的時間，這對新進企業(yè)來說是一個巨大的時間和資源投入。

一旦通過所有嚴格的驗證程序并成功進入批量供貨階段，光刻膠供應商與客戶之間便會建立起一種基于信任和技術可靠性穩(wěn)固的合作關系。更換供應商不僅需要承擔新增的驗證成本，還可能影響到現有的生產效率和產品質量，因此制造商對此會格外慎重。除非新進企業(yè)在研發(fā)水平、生產能力、質量控制、價格優(yōu)勢和服務質量等方面展現出壓倒性的競爭力，否則很難撼動已有的供應鏈結構。面對日本和美國化工巨頭長期以來形成的壟斷局面，中國國產光刻膠企業(yè)沒有別的選擇，只能靠自身過硬的產品品質和服務，才能贏得客戶的認可，打破這一格局。

可以毫不夸張地說，作為“后來者”，國產光刻膠企業(yè)所面臨的市場要求和挑戰(zhàn)，絲毫不低于國際上頂尖的日本、美國企業(yè)。對于中國供應商來說，想要擠入高端光刻膠這一競爭激烈的領域，前方的道路仍然充滿了挑戰(zhàn)。只有通過不斷地努力和創(chuàng)新，才能逐漸縮小與國際先進水平之間的差距，并最終在全球競爭中占據一席之地。這不僅是技術上的較量，也將是對耐心和毅力的考驗。

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