（文/觀察者網(wǎng) 呂棟 編輯/張廣凱）

“長江存儲實現(xiàn)了對三星的技術(shù)專利許可，這對于一直在堅持自主研發(fā)的中國科技企業(yè)而言，無疑是又一次重大鼓舞?！毙袠I(yè)媒體如此評價稱。

2月24日，韓國媒體ZDNet Korea獨家報道稱，三星電子近日與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了專利許可協(xié)議，將從后者獲得3D NAND“混合鍵合”專利，該專利是一種將晶圓和晶圓直接鍵合的尖端封裝技術(shù)。

三星電子作為存儲芯片行業(yè)的領(lǐng)頭羊，從中國企業(yè)獲得專利授權(quán)比較罕見。這家韓媒直言，由于工藝流程問題，三星難以規(guī)避中國企業(yè)的專利，獲取授權(quán)是必然，未來的競爭可能會非常激烈。

觀察者網(wǎng)就該報道聯(lián)系長江存儲方面，對方暫未置評。

從韓媒報道來看，三星此次獲取長江存儲專利授權(quán)，將主要用于下一代（V10）閃存芯片開發(fā)上，這代芯片計劃于今年下半年量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達到420層-430層。為了讓V10芯片盡快量產(chǎn)，三星引入了多項新技術(shù)，晶圓和晶圓之間的混合鍵合“至關(guān)重要”。

長江存儲128層NAND閃存

三星之所以這么看重這項技術(shù)，是因為“混合鍵合”技術(shù)省去了傳統(tǒng)芯片連接所需的凸塊，縮短了電路，并提高了存儲性能和散熱特性，“特別是晶圓之間的混合鍵合，它鍵合的是整個晶圓而不是芯片，在提高生產(chǎn)效率方面也具有優(yōu)勢”。

與三星相比，長江存儲是一個后起之秀，2016年成立于武漢，至今不到10年。彼時，存儲芯片行業(yè)已經(jīng)是成熟市場，三星、SK海力士、美光等巨頭占據(jù)了大部分市場份額。對于后來者而言，要想長久發(fā)展，首要目標并不是快速搶市場，而是要確保技術(shù)專利的合規(guī)。

如果技術(shù)專利上出了問題，甚至被行業(yè)巨頭找上麻煩，將影響企業(yè)的長期發(fā)展，甚至危及生存，福建晉華和美光的專利侵權(quán)糾紛就是一個典型例子，一度導致福建晉華的運營停擺。

也正是提前考慮了這一點，長江存儲在成立之初獲得國家大基金投資的同時，國家也對長江存儲所從事的3D NAND技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)，進行了全面專利預警工作。

2016年，由國家知識產(chǎn)權(quán)局專利分析和預警領(lǐng)導小組辦公室組織，專利審查協(xié)作湖北中心骨干力量承擔的專題《三維NAND型存儲器關(guān)鍵技術(shù)專利分析和預警》啟動，報告詳細分析了三維NAND型存儲器的關(guān)鍵技術(shù)、全球?qū)＠季智闆r以及主要企業(yè)的競爭態(tài)勢，建議國內(nèi)企業(yè)建立風險預警機制，對海外存儲寡頭和國外研究機構(gòu)的高風險專利保持警覺，報告全文共七章、332頁、19萬字。

2017年8月，武漢東湖高新區(qū)管委會召開三維NAND存儲器產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)項目報告會暨存儲器產(chǎn)業(yè)專利導航預研會，政府機構(gòu)和長江存儲等相關(guān)負責人參加，要求認真做好專利預警和專利布局等專利導航工作。

根據(jù)長江存儲官網(wǎng)介紹，2017年10月，長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長江存儲自主創(chuàng)新Xtacking架構(gòu)的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。2020年4月，長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時業(yè)界最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。

長江存儲自研Xtacking技術(shù)

觀察者網(wǎng)當時（2020年4月）還報道過，長江存儲跳過96層，成功研發(fā)基于Xtacking 2.0的128層QLC3D NAND閃存，短短3年實現(xiàn)從32層到64層再到128層的跨越。

從這次韓媒的報道看，在那個時期，長江存儲就已經(jīng)在積極應用3D NAND混合鍵合技術(shù)，并將其命名為“Xtacking”。該公司還在業(yè)務初期通過許可協(xié)議，從美國科技公司Xperi獲得了與混合鍵合相關(guān)的原始專利，長期積累了大量與NAND鍵合相關(guān)的自有專利。

隨著閃存芯片堆疊層數(shù)進入400層，如何保證芯片的性能可靠和生產(chǎn)效率成為難題，三星等存儲巨頭在生產(chǎn)制造中，似乎也不得不使用混合鍵合技術(shù)，也就避不開長江存儲的專利。

韓媒援引知情人士稱，Xperi、長江存儲和臺積電這三家公司，實際上擁有了與混合鍵合相關(guān)的大部分技術(shù)專利，三星電子也是在判斷其在V10、V11和V12等未來代際的NAND芯片開發(fā)中，幾乎不可能避開長江存儲的專利的情況下，簽訂了許可協(xié)議。

調(diào)研機構(gòu)TechInsights的崔正東分析稱：“從V10開始，三星電子開始采用三重堆疊技術(shù)，將電路分為三層，并使用混合鍵合技術(shù)，總共使用兩個晶圓。由于存在許多變化，例如工藝轉(zhuǎn)換和新設(shè)施投資，因此與長期采用混合鍵合的長江存儲相比，制造成本必然會高得多?！?

三星電子開發(fā)的V9代閃存芯片

存在類似情況的還有SK海力士，它跟三星兩家占據(jù)了全球50%以上的閃存市場份額。這家韓國巨頭計劃在今年底量產(chǎn)400層NAND閃存，并在明年上半年大規(guī)模生產(chǎn)，該公司高管明確提到，將在400層NAND產(chǎn)品中使用混合鍵合技術(shù)，來提高成本效率和量產(chǎn)。

在韓媒看來，長江存儲通過在混合鍵合領(lǐng)域的長期積累，技術(shù)已經(jīng)領(lǐng)先，該公司近期使用“Xtacking 4.x”版本實現(xiàn)270層高密度NAND的商業(yè)化（SK海力士去年底量產(chǎn)“全球最高”321層NAND閃存）。

“長江存儲的2yy NAND芯片（預計270層），是我們在市場上發(fā)現(xiàn)的密度最高的NAND，更重要的是，它是業(yè)內(nèi)第一個實現(xiàn)超過20Gb/mm2位密度的NAND?！盩echInsights在報告中寫道。

截至目前，長江存儲專利申請數(shù)量超過1萬件。正如前文所言，對于長江存儲、長鑫存儲這種新興之秀而言，積累專利不僅是為了推進技術(shù)，更為了在專利戰(zhàn)中進行防御。

2023年11月8日，長江存儲以八件專利起訴美光之后，又在2024年7月追加了11件專利的起訴，兩案并案處理。有專利媒體撰文稱，長江存儲敢于在美國主動起訴美光，開創(chuàng)了中國企業(yè)的先河，也顯示出對于自主技術(shù)的自信。截至目前，可檢索到的美光已經(jīng)對長江存儲的20件專利，發(fā)起了22次的無效挑戰(zhàn)IPR（多方復審）。不難看出，這種密度的糾紛，也開創(chuàng)了中國企業(yè)和美國企業(yè)在專利戰(zhàn)場上較量的一個新紀錄。

對于中國科技創(chuàng)新而言，長江存儲十年磨一劍的技術(shù)突破無疑令人振奮。在核心技術(shù)逐步追上甚至領(lǐng)先行業(yè)巨頭之后，如何提升產(chǎn)能也成為長江存儲的關(guān)鍵問題，這對能否改寫行業(yè)格局也至關(guān)重要。

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