外部封鎖與產(chǎn)業(yè)規(guī)律

事實上，造成臺灣和大陸在半導體制造領域技術差異的還有一個原因，設備。

據(jù)《中國青年報》援引賽迪顧問公司集成電路產(chǎn)業(yè)研究中心副總經(jīng)理劉堃說法介紹，根據(jù)上世紀簽訂的《瓦森納協(xié)定》，西方國家對中國大陸進行設備出口是有限制的，這很大程度上影響國內(nèi)企業(yè)在芯片制造設備上的先進程度，“有的小企業(yè)不得不買二手設備來支撐工廠的運作?！?

《瓦森納協(xié)定》全稱《關于常規(guī)武器和兩用物品及技術出口控制的瓦森納安排》，是世界主要的工業(yè)設備和武器制造國在巴黎統(tǒng)籌委員會解散后，于1996年成立的一個旨在控制常規(guī)武器和高新技術貿(mào)易的國際性組織，擁有33個成員國，中國大陸不在其列，其主要目的是阻止關鍵技術和元器件流失到成員國之外。

值得注意的是，《瓦森納協(xié)定》雖然允許成員國在自愿的基礎上對各自的技術出口實施控制，但實際上，成員國在重要的技術出口決策上受到美國的影響。而中國大陸、朝鮮、伊朗、利比亞等國家或地區(qū)均在被限制名單之中。這嚴重影響了我國與其成員國之間開展的高技術國際合作。

文治資本創(chuàng)始人唐德明在回國前曾供職于國外計算機公司。2002年回國后，他進入一家晶圓制造公司工作，后來選擇創(chuàng)業(yè)，做芯片的研發(fā)設計。他發(fā)現(xiàn)，一些國內(nèi)的企業(yè)即便制造了相關的生產(chǎn)設備也很少能有制造企業(yè)愿意采購。

除了設備以外，《經(jīng)濟日報》援引外國專家說法稱，之前的幾十年，中國大陸富豪的致富途徑都是通過勞動密集產(chǎn)業(yè)，例如組裝手機，借此吸引企業(yè)家或政府部門投資。但生產(chǎn)半導體卻恰巧相反，需要的是數(shù)十億預先投入的資本，等待回收可能需要花上十多年，而中國大陸擁有強大的資金實力可供投資半導體領域是近些年才有的事，這一資金密集型產(chǎn)業(yè)，需要多年蓄力，才能取得成就。

以2016年為例，在積體電路資本支出方面，三星是113億美元，臺積電是102.5億美元，英特爾是96.25億美元，基本都在百億美元量級。而2016年中芯國際的資本支出是26.26億美元。在研發(fā)費用層面，臺積電2016年研發(fā)費用達22億美元，而中芯當年共投入研發(fā)費用3.18億美元。兩者差距十分明顯。

《經(jīng)濟日報》還稱，長遠來看，大陸生產(chǎn)半導體最大的挑戰(zhàn)或許還是技術取得。一般合理的解決方式是通過向美國公司購買技術或合伙，但中國大陸對美國半導體公司的收購通常都會被以國家安全理由阻斷。日本、韓國、中國臺灣對中國大陸的并購提案也都會進行類似的審查。據(jù)統(tǒng)計，中國大陸從2015年起對美國半導體公司做過的并購投標總金額為340億美元，但真正達成的只有44億美元。

此外，大陸專業(yè)人才缺乏也是制約半導體制造技術發(fā)展的重要原因。

《每日經(jīng)濟新聞》此前報道稱，中芯目前的技術團隊中，本土化人才并不多，仍然嚴重依賴外部人才。由于來自大陸、臺灣和海外三方面的員工共存，中芯還需要解決內(nèi)部融合問題，這個融合矛盾在大唐電信入股后被激發(fā)，員工內(nèi)訌在一段時間內(nèi)不斷出現(xiàn)。

總的來說，大陸對半導體的人才培養(yǎng)和儲備都還跟不上。2003年國家教育部新設本科專業(yè)集成電路設計與集成系統(tǒng)專業(yè)。截至2017年，全國只有41所高校設置了“集成電路設計與集成系統(tǒng)”專業(yè)。2015年中國集成電路從業(yè)人數(shù)為39.4萬，其中技術人員只有14.1萬，中高端人才供需矛盾突出。

打破外企壟斷，大陸在行動

據(jù)觀察者網(wǎng)22日報道，中央國家機關5月17日發(fā)布《2018-2019年信息類及空調(diào)協(xié)議供貨的征求意見》，其中，其中，服務器產(chǎn)品技術增設三款國產(chǎn)芯片——龍芯、飛騰、申威。也即，服務器廠商只有和三個國產(chǎn)芯片合作，研制國產(chǎn)芯片服務器才能入圍此類協(xié)議供貨。

此外，由于之前的“中興風波”，多家國內(nèi)芯片企業(yè)都加速引進國際高端光刻機。

據(jù)日媒17日報道，日前，中芯已向全球最大的芯片設備制造商——荷蘭ASML訂購了首臺最先進的EUV（極紫外線）光刻機，價值1.2億美元。目前，業(yè)內(nèi)已達成共識，必須使用EUV光刻機才能使半導體芯片進入7nm，甚至5nm時代。消息稱，這臺幾乎相當于中芯國際去年全部凈利潤的設備，將于2019年前交付。

此后，長江存儲也迎來了自己的第一臺光刻機，同樣來自ASML，不過是193nm沉浸式，用于產(chǎn)20-14nm工藝的3D NAND閃存晶圓，7200萬美元一臺。

對于中國企業(yè)在半導體產(chǎn)業(yè)方面的動作，中芯CEO趙海軍表示，“中芯已處于有利位置，將抓住有潛力的市場，并通過加速發(fā)展制造工藝，擴大可預期的市場空間”。

一位接近中芯的業(yè)內(nèi)人士坦言， 中芯對未來先進工藝做儲備是意料之中的，也證明該公司對未來發(fā)展的路徑非常清晰。