1月22日，士蘭微（600460.SH）發(fā)布了其2024年度的業(yè)績預(yù)告。根據(jù)公告，公司預(yù)計2024年度實現(xiàn)歸母凈利潤為1.5億元到1.9億元，與上年同期的虧損3578.58萬元相比，實現(xiàn)了同比扭虧為盈?？鄢墙?jīng)常性損益后的凈利潤為1.84億元到2.24億元，同比增加1.25億元到1.65億元，同比增長212.39%到280.31%。

士蘭微作為國內(nèi)少有的IDM（設(shè)計與制造一體）半導(dǎo)體企業(yè)，面對日益激烈的市場競爭，公司通過持續(xù)推出競爭力強的產(chǎn)品，不斷加大對大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場的拓展力度，并取得了顯著成效。2024年全年，公司電路和器件成品的銷售收入中，已有超過75%的收入來自這些高門檻市場。

在業(yè)績增長的背后，士蘭微的多個產(chǎn)品線出貨量大幅增長，成為推動公司整體營收上升的關(guān)鍵因素。這些產(chǎn)品線包括電源管理芯片、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM功率模塊、碳化硅MOSFET器件、超結(jié)MOSFET器件、MEMS傳感器、MCU電路、SOC電路等。

在產(chǎn)能利用率方面，士蘭微旗下的多個子公司和參股公司均呈現(xiàn)出滿負(fù)荷生產(chǎn)的態(tài)勢。其中，士蘭集成的5、6吋芯片生產(chǎn)線、士蘭集昕的8吋芯片生產(chǎn)線以及士蘭集科的12吋芯片生產(chǎn)線均實現(xiàn)了滿負(fù)荷生產(chǎn)。此外，公司還安排了技改資金，進(jìn)一步提升8吋線MEMS芯片產(chǎn)能、12吋線IGBT芯片和模擬電路芯片產(chǎn)能，預(yù)計2025年各尺寸的芯片生產(chǎn)線將繼續(xù)保持較高的產(chǎn)出水平。

在技術(shù)研發(fā)方面，士蘭微也取得了重要進(jìn)展。公司已完成了第Ⅲ代、第Ⅳ代平面柵SiC MOSFET芯片的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平?；诠劲虼鶶iC MOSFET芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊已實現(xiàn)向下游汽車用戶批量供貨，而基于公司Ⅳ代SiC MOSFET芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊也已在客戶端驗證，預(yù)計2025年實現(xiàn)批量供貨。

值得一提的是，士蘭微在廈門的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目也備受關(guān)注。該項目由士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司共同增資建設(shè)，總投資額為120億元人民幣。項目分兩期建設(shè)，一期總投資70億元，預(yù)計2025年年底實現(xiàn)初步通線，二期投資50億元。截至2025年1月，項目正在進(jìn)行上部結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計將在2025年一季度封頂。一期項目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片，年產(chǎn)值達(dá)67億元。

此外，士蘭微在2024年還進(jìn)行了項目增資擴產(chǎn)、擴大技術(shù)合作、加大市場合作等一系列動態(tài)。例如，公司與廈門半導(dǎo)體等多方簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作補充協(xié)議》，進(jìn)一步完善在車規(guī)級高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。同時，士蘭微與多家國內(nèi)外汽車廠商合作，其基于自主研發(fā)的IGBT和FRD芯片的電動汽車主電機驅(qū)動模塊已實現(xiàn)在比亞迪、吉利、零跑、廣汽等客戶的批量供貨。

展望未來，士蘭微表示，在國家政策持續(xù)支持以及下游電動汽車、新能源、算力和通訊等行業(yè)快速發(fā)展的背景下，公司將持續(xù)推動滿足車規(guī)級和工業(yè)級要求的器件和電路在各生產(chǎn)線上量，進(jìn)一步推動公司整體營收的較快成長和經(jīng)營效益的提升。

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