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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布成為DRAM內(nèi)存生產(chǎn)商,國(guó)內(nèi)首家
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呂棟寧?kù)o致遠(yuǎn)。
(觀察者網(wǎng)訊 文/呂棟 編輯/尹哲)
據(jù)電子工程專(zhuān)輯(EETimes)12月3日?qǐng)?bào)道,合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)近日宣布,已成為國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)生產(chǎn)商。
在接受上述媒體專(zhuān)訪時(shí),長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的代表透露,該公司已經(jīng)完成合肥Fab 1及研發(fā)設(shè)施建設(shè),目前月產(chǎn)能2萬(wàn)片,并計(jì)劃在2020年第二季度將產(chǎn)能提高一倍,達(dá)到每月4萬(wàn)片,約占全球內(nèi)存產(chǎn)能的3%。
DRAM是最常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存,也是集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值占比最大的單一芯片品類(lèi)。
觀察者網(wǎng)查詢(xún)發(fā)現(xiàn),在該領(lǐng)域領(lǐng)域,三星、SK海力士、美光的全球市場(chǎng)份額合計(jì)接近95%。與此同時(shí),這三家企業(yè)掌控著諸多DRAM技術(shù)專(zhuān)利。
而以長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為代表的中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)正應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn),該公司一直在從韓國(guó)和臺(tái)灣地區(qū)招募工程師,并“挖角”德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda),以建立DRAM相關(guān)人才儲(chǔ)備。
另外,知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題也日益受到重視。不久前,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)通過(guò)加拿大知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司W(wǎng)iLAN獲得大量來(lái)源于英飛凌的DRAM技術(shù)專(zhuān)利的實(shí)施許可。
報(bào)道截圖
據(jù)報(bào)道,除上述項(xiàng)目之外,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃建造另外兩座晶圓廠以及一些基礎(chǔ)設(shè)施,為3000名員工及其家人提供住房。
今年9月20日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布:總投資約1500億元的內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。其與國(guó)際主流DRAM同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4也首度亮相 。
不過(guò),前述報(bào)道認(rèn)為,目前中國(guó)進(jìn)入國(guó)際DRAM市場(chǎng)的難度依然很大:一方面生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)與專(zhuān)業(yè)知識(shí)欠缺,另一方面是知識(shí)產(chǎn)權(quán)積累上存在短板。
DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示,在DRAM領(lǐng)域,今年三季度,三星、SK海力士、美光的全球市場(chǎng)份額合計(jì)接近95%,更重要的是,這三家企業(yè)同時(shí)掌控著諸多DRAM技術(shù)專(zhuān)利。
而以長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為代表的中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)正積極應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn),該公司一名業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)在接受上述媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)3000名員工中,70%是工程師和技術(shù)人員。
此外,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)一直在從韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)招募工程師,并“挖角”一度是全球第二大DRAM制造商的德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda),以建立DRAM相關(guān)人才儲(chǔ)備。
例如,奇夢(mèng)達(dá)原副總裁屈斯特爾斯(Karl Heinz Kuesters)已成為長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)顧問(wèn),他在奇夢(mèng)達(dá)及其母公司英飛凌工作了24年,負(fù)責(zé)技術(shù)和前期開(kāi)發(fā)。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)廠房效果圖 圖自長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
事實(shí)上,DRAM技術(shù)有溝槽式(Trench Dram)和堆棧式(Stack Dram)兩種,后者技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力相對(duì)較好,但是由于早期市場(chǎng)原因,該技術(shù)被擱淺,奇夢(mèng)達(dá)也于2009年破產(chǎn)。
之后,長(zhǎng)鑫通過(guò)授權(quán)獲得奇夢(mèng)達(dá)的堆棧式相關(guān)技術(shù),借助從全球招攬的人才和制造裝備,開(kāi)始使用堆棧電容工藝技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn),并把奇夢(mèng)達(dá)的46nm工藝平穩(wěn)推進(jìn)到了10nm。
報(bào)道引述Object Analysis首席分析師漢迪(Jim Handy)評(píng)論稱(chēng),“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)擁有比大多數(shù)人預(yù)期的中國(guó)DRAM制造商更高的專(zhuān)業(yè)水平”。
“(長(zhǎng)鑫)基本是奇夢(mèng)達(dá)在中國(guó)的設(shè)計(jì)中心,因此他們能夠使用奇夢(mèng)達(dá)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。這讓他們比中國(guó)其他DRAM和閃存芯片(NAND)的新興制造商處于更有利的位置?!睗h迪表示。
12月5日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在官方微信公號(hào)宣布,通過(guò)加拿大知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司W(wǎng)iLAN獲得大量來(lái)源于奇夢(mèng)達(dá)母公司英飛凌的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)技術(shù)專(zhuān)利的實(shí)施許可。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明表示:“兩份協(xié)議標(biāo)志著,在完善知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合、進(jìn)一步強(qiáng)化技術(shù)戰(zhàn)略和保障DRAM業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)方面,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)采取了新舉措。”
另外,朱一明今年5月披露,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已從奇夢(mèng)達(dá)獲得部分技術(shù)來(lái)源。與后者的合作使長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲得一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù),成為公司最初的技術(shù)來(lái)源之一。
本文系觀察者網(wǎng)獨(dú)家稿件,未經(jīng)授權(quán),不得轉(zhuǎn)載。
標(biāo)簽 長(zhǎng)鑫- 責(zé)任編輯: 呂棟 
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